【现货】Aixtron Crius II MOCVD 爱思强外延炉，含热机 出 Aixtron Crius II MOCVD，经典 CCS 近耦合喷淋头机型，2/4 寸兼容，多用于 GaN‑LED、功率器件外延，市场保有量大，工艺资料多，上手友好。 现有部分热机状态现货，通电可跑机，可以减少复调周期。 设备整机件齐，可提供：As‑is 整机、深度翻新、拆机备件，支持拆机验机，可对接技术评估。 适合科研单位、中小外延产线扩产。 感兴趣的朋友回帖或者私信，发实拍、配置清单。

半导体微小器件点位测温，布线会不会很麻烦？答案取决于方法。如果“随意一贴”，麻烦不断；如果遵循成熟方案，其实有章可循。 雷恩提供了明确的布线操作指引，让繁琐变得清晰。 选对热电偶，事半功倍。针对微小器件，热电偶直径是关键。常规使用0.2φ热电偶，如果需要迅速热反应（如测量扁平零件等细引线），推荐使用直径0.1φ的热电偶，反应更快、对微小测点干扰更小。 合理固定，不走弯路。雷恩推荐两种标准固定方式： 高温焊锡固定

筑梦远航冲未来丨Kinghelm金航标花田树下团建！心怀热爱，奔赴山海。8月22日，Kinghelm金航标（www.kinghelm.net）“筑梦远航冲未来 花田树下喜相聚”团建在热爱中开启。“冲”，是金航标团队今年克服困难业绩冲上了新台阶，“喜”，是金航和萨科微slkor（www.slkoric.com）一直提倡“生活好才能工作好”，公司营造宽松、快乐的工作环境，大家上班都开开心心的，同事们的关系其乐融融。上午8点半，满载50余人欢声笑语的豪华大巴从公司总部出发，在晨曦

所以真正聪明的人，都喜欢藏锋守拙，平时不张牙舞爪，真遇到事了才显出本事。你对我客气，我比你更客气；你要是真的欺负到我头上，我也有足够的底气接住。这种示弱，是一种选择，不是一种被动，是看过了人性之后的通透，知道没必要把所有人都请到自己的生命里，用一点姿态，筛掉那些不值得耗费精力的人，剩下的，才是真正值得同行的伙伴。

瑞斯特(RST) RST0130KA是一款基于沟槽工艺设计的100V耐压N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252-2L贴片封装。器件在10V栅压下典型导通电阻25mΩ、上限32mΩ，最大连续漏极电流30A，100℃壳温下仍保持21A输出能力，脉冲电流峰值120A。栅源耐压±20V，额定耗散功率85W，降额系数0.57W/℃，单脉冲雪崩能量200mJ，结温范围-55℃至175℃。与同系列TO-220封装的RST0130A相比，该型号采用表面贴装形式，更适配自动化回流焊产线，同时保留了相近的电气性能与热管理能力。

瑞斯特(RST) RST0128D是一款采用先进沟槽工艺开发的100V耐压N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263-2L贴片封装。器件在10V栅压下典型导通电阻仅14mΩ、上限18mΩ，最大连续漏极电流28A，100℃壳温下仍保持20A输出能力，脉冲电流峰值高达160A。栅源耐压±20V，额定耗散功率150W，降额系数1W/℃，单脉冲雪崩能量550mJ，结温工作范围-55℃至175℃。该型号在同系列产品中功率等级最高，TO-263封装的大尺寸散热焊盘与150W耗散能力使其成为大功率硬开关电源及高能量吸收场景

瑞斯特(RST) RST0103M是一款采用先进沟槽工艺设计的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOT-89-3L贴片封装，耐压规格100V，25℃环境温度下连续漏极电流3A，脉冲电流峰值20A。器件在VGS=10V、ID=3A条件下典型导通电阻136mΩ，最大限值160mΩ；VGS=4.5V时典型值140mΩ，最大170mΩ，栅极总电荷仅20nC，其中栅源电荷2.1nC、栅漏电荷3.3nC，开通延迟6ns、关断延迟20ns，结温工作范围-55℃至150℃，最大耗散功率1.5W。

8月26日，2026EeIE深圳国际智能装备产业博览会正式开启。 智能制造、工业自动化、机器人、运动控制、电子制造……来自产业链上下游的企业与专业观众汇聚深圳国际会展中心（宝安），现场围绕新技术、新产品与智能制造应用展开交流。展会将持续至8月28日。 而在这场智能制造产业交流中，爱合发也已经来到现场。 如果你准备来逛智博会，爱合发展位值得留一点时间。 因为这次，我们准备的不只是产品展示。 来爱合发展位，你能收获什么？ 01｜

名称：内孔 SMA 正脚型号：KH-SMA-KE-Z品牌：kinghelm(金航标)封装：插件编号：C504007

半导体炉体

想问问ICRD二期怎么样？说是要去三期support，可投吗？

出一台 SUSS MA300 全自动掩模对准光刻机，支持 200/300mm 晶圆，具备顶侧、底面、红外对准，对准精度 0.5μm，适配 3D 封装、TSV、RDL、MEMS、功率器件等工艺。 设备可现场看机检测，另有多台热机运行半导体设备，可同步看货。 有工厂、做研发、同行感兴趣可以楼中回复或者私聊，非诚勿扰

社会最真实的规则，永远是资源优先分配强者。大自然的法则直白又残酷：狮子捕猎从不会心软，唯有打败对手，才能拥有生存资源。人类社会看似有文明、道德的包装，但底层竞争从未消失。只不过比拼的不再是蛮力，而是认知、思维、资本和眼界。强势的人，掌握规则、创造价值，手握资源和话语权，主动掌控自己的人生。而弱势的人，永远处于被动状态，依附他人、被动接受安排、被生活挑选。底层的困顿，不只是物质匮乏，更是思维被束缚、

二手现货LAM 2300 E6 12 英寸集群式干法等离子刻蚀机 泛林经典 300mm 多腔体刻蚀集群设备，仓库现货整机；完成腔体拆解清洗、真空检漏、射频电源、MFC 气路、FOUP 机械手全套点检校准；欢迎详询~#LAM2300E6# #泛林刻蚀机# #12 寸干法刻蚀# #半导体刻蚀# #二手半导体设备#

【8 寸光刻配套轨道设备｜TEL Clean Track MARK8 全自动涂胶显影系统】 TEL MARK8 是东京电子经典 200mm 轨道涂胶显影 Track，主流 2C2D 双涂胶双显影配置，面向 4‑8 英寸晶圆，大量配套 i‑line 光刻机用于功率器件、模拟 IC、MEMS、化合物半导体研发与量产。 #半导体涂胶显影# #TELMARK8# #Track 轨道机 ##8 寸半导体设备#

在半导体晶圆测试环节，精度、稳定性、兼容性与自动化效率，直接决定芯片良率与量产产能。源自日本东京电子的TEL P-12XL全自动探针台，作为8-12英寸晶圆测试的经典高端设备，凭借成熟稳定的硬件架构、微米级精准对位能力与全流程自动化作业体系，成为功率器件、逻辑芯片、先进封装研发与量产测试的核心优选设备，广泛适配半导体实验室研发、中试及规模化生产线场景。 二手现货TEL P‑12XL 全自动 12 英寸晶圆探针台 东京电子经典 300mm 量产级

高温固化工艺中，炉温测试仪面临的最严峻考验是热冲击——仪器进出炉瞬间经受剧烈温差，内部元件反复热胀冷缩，普通仪器往往“跑几次就坏”，成为产线频繁更换的耗材。 雷恩从源头解决这一问题。仪器采用源自航空“黑匣子”全密封绝热工艺的定制隔热箱，以310S不锈钢为外壳，内部填充纳米航天隔热材料，可有效阻隔高温热浪的直接冲击。仪器本体耐温100℃，配合隔热箱可在100℃至1300℃宽温区稳定运行。以陶瓷烧制场景为例，1000℃高温下

出二手 ESEC 3100 plus 全自动引线键合机（邦定机），设备状态良好，支持金 / 铝丝键合，视觉对位，故障报警，适合半导体、光电子、功率器件封装研发与小批量生产。 另有一批机器已经完成热机调试，工艺校准完毕，到手直接投入使用，节省调试周期。 可现场看机，支持工艺验证，有需要朋友楼中楼回复或者私信。

在半导体制造车间里，水泵看着不起眼，却直接牵动晶圆良率。半导体制程涉及超纯水、各类强酸强碱蚀刻液、清洗药液、抛光浆料输送，泵一旦出现漏液、析出金属离子、流量波动，就会造成晶圆污染，带来高额生产损失。很多工厂选型踩坑，就是分不清不同泵型的适用场景。下面聊聊半导体行业常用的几类水泵。 1、磁力泵无轴封磁力驱动结构，从根源规避漏液风险，过流部分可选 PFA、PVDF 氟塑料材质，耐强酸碱，金属析出少。多用于超纯水循环

创始人陈雪鹏十九年深耕，打造全球供应链商业生态圈。“共享采购联盟”是深耕珠三角在国内具有影响力的采购社群之一，链接了六万采购人员与十几万家供应商企业，分会覆盖国内十多个城市，现在延伸国际化发展至越南和泰国。作为联盟企业会员，萨科微半导体采编团队（www.slkoric.com）本期走进联盟总部，对话陈雪鹏，听他讲述一个QQ群发展为行业赋能的综合性平台的历程。联盟坚持每周在深圳、东莞、惠州等地的培训课、资源对接会、行业沙

RST80H12H是瑞斯特（RST）推出的一款采用先进沟槽技术设计的N沟道增强型功率MOSFET，封装形式为TO-220H-3L，定位于中高功率开关应用领域。该器件在电气性能上实现了低导通电阻与高开关速度的平衡，其关键参数包括：漏源击穿电压80V、连续漏极电流120A（25°C壳温下）、脉冲漏极电流450A，以及最大功耗220W。导通电阻典型值为4.9mΩ（VGS=10V, ID=40A），最大不超过6mΩ，这一指标在同规格产品中具备较强的竞争力。栅极阈值电压范围为2V至4V（典型值3V），栅源

型号：RB055L‑40 TE25（丝印5257） 品牌：瑞斯特半导体 封装：PMDSSOD‑106 批次：20260523 数量：1500PCS/盘 适配AI设备电源回路整流、防反向保护场景；PMDSSOD‑106贴片封装，正向压降低，恢复速度快，可用于AI配套板卡续流与防反接保护，符合ROHS环保标准，适配SMT贴片生产。

名称：Type-C 母 卧贴型号：KH-TYPE-C-16P品牌：kinghelm(金航标)封装：SMD编号：C709357

heater

汉思胶水在半导体封装领域的应用具有显著的技术优势和市场价值，其产品体系覆盖底部填充、固晶粘接、围坝填充、芯片包封等关键工艺环节，并通过材料创新与工艺适配性设计，为半导体封装提供可靠性保障。以下为具体应用分析： #半导体# #半导体封装# #半导体封装胶# #芯片胶# 汉思胶水在半导体封装中的应用概览 1. 底部填充胶：提升封装可靠性的核心材料 汉思的底部填充胶（如HS700系列）是BGA、CSP及Flip Chip封装中的关键材料，其核心功能包括

ANELVA I‑1060 SV Ⅱ 集群式磁控溅射 PVD 系统 佳能安内华经典多腔体 PVD 溅射台，仓库现货整机，完成真空系统、溅射电源、机械手、气路、靶位机构全套点检校准；欢迎详询~#AnelvaI1060SV2 ##PVD 溅射台# #磁控溅射# #6 寸半导体# #二手半导体设备#

MAT Precision 5000 是应用材料久经市场验证的多腔体刻蚀设备，4 腔版本拥有 4 套相互独立的 MxP/MxP+/Mark‑II 工艺腔体，面向 4‑8 英寸晶圆，大量用于功率分立器件、MEMS 传感器、化合物半导体研发和中小批量生产。

半导体固化工艺对温度极其敏感，数据漂移可能直接导致芯片封装失效。雷恩从三个层面确保数据长期稳定不漂移： 硬件层面：进口元器件+自主芯片，从源头锁住精度。雷恩仪器主板全部采用进口芯片与超高精度电子元器件，搭载自主研发的0.3℃级别温度补偿芯片，在高温环境下自动修正温度偏差，确保长时间运行数据稳定不漂移。仪器精度达±0.3℃，分辨率0.1℃，可敏锐捕捉每0.1℃的温度变化，在半导体固化炉200℃甚至更高温度环境中也能精准记

半导体 / 痕量用 PFA 酸缸可以低温加热使用，建议控制≤110‑120℃，不建议长期超过 120℃。 加热带来的提升： 清洗效率大幅提高：升温加快金属离子解析速度，对管壁吸附重金属、薄盐垢、螺纹缝隙残留，热酸浸泡解析能力远强于常温；同等清洗效果下，浸泡时间可以缩短一半以上，适合高污染消解罐。 更容易溶出水解氧化物、氟盐薄层，降低器皿本底，对 ppt 级同位素、半导体前处理帮助明显。 加热带来的弊端与风险： 酸液挥发加剧，大量产生 N

1.摆放留有间隙，禁止堆叠码放 烧杯、消解罐、试管不要互相紧贴、倒扣叠放，器皿之间留出空隙，保证酸液可以自由流通；罐类不要直接倒扣贴缸底，倒扣容易形成密闭气泡，内壁接触不到酸液。 2.使用 PFA 隔离支架 / 隔板 酸缸内部放置 PFA 网格支架，把器皿架空隔开，器皿底部不直接贴缸底，罐口、杯口侧向摆放，减少互相贴合，酸液可以循环流动。 3.小件器皿分散摆放 PFA 试管、盖子、垫片等小件，可放入 PFA 镂空吊篮，分散散开，不要扎堆挤压

第一步粗冲：从酸缸取出后，在通风橱内先用大量超纯水内外反复涮洗，冲掉器皿表面附着的浓酸，螺纹、盖子、垫片拆开分开冲洗。 多次浸泡淋洗：放入装有超纯水的 PFA 漂洗槽，浸泡 30‑60min，中途换水 1‑2 次，让缝隙内部酸充分溶出；螺纹处来回旋动，帮助酸液流出。 终末冲洗：使用超纯水流动冲洗器皿内壁、外壁、螺纹、管口各个死角，器皿内壁形成连续水膜，不出现水珠挂壁为直观参考。 倒置沥干：冲洗完成后放在洁净 PFA 沥水架上倒置

1.倒净废液，初步去除残渣 实验结束尽快倒尽内部样品废液，不要让盐、沉淀物干结附着管壁。用超纯水反复涮洗内外，冲掉可见样品、盐类残渣。有固体结垢尽量先溶解处理，带大量残渣直接入酸缸，会快速消耗酸液，整缸酸提前报废。 2.拆开全部配件 消解罐、螺纹试管把盖子、密封圈、内套全部拆开，螺纹、垫片全部分开浸泡，避免螺纹缝隙被气泡包裹，酸接触不到。 3.去除有机、碳化污染物 如果存在黑色碳化残留，单纯硝酸酸泡很难去除，要

常用浸泡时长参考（高纯硝酸体系） 普通痕量样品器皿：常温浸泡 8‑12h（过夜浸泡）； 重金属、高盐、消解罐螺纹死角污染较重：80℃热酸浸泡 4‑8h； 半导体、同位素超痕等级：热酸 12‑24h； 做完高浓度重金属样品建议单独延长浸泡。 浸泡时间带来的影响 浸泡时间不足： 吸附态金属来不及充分解析，螺纹、微孔内残留洗脱不完全，器皿本底偏高，后续实验出现空白异常、交叉污染；肉眼看器皿已经干净，但痕量级别污染依旧存在。 不是泡得越

合适液面：酸缸容积的 60%‑75%，保证放入器皿后可以完全浸没所有待清洗物件，同时留有安全余量。 液面加太满： 放入 PFA 消解罐、烧杯等器皿时，酸液受挤压极易溢出，造成酸液腐蚀、人员安全隐患。 器皿投入，酸液上浮漫过缸口，酸雾大量外泄，腐蚀通风橱配件。 加盖之后，受热、酸分解产气，内部压力升高，更容易发生溢液。 液面太少： 器皿无法完全浸没，部分部位露出液面，浸泡清洗失效，残留金属无法洗脱，空白值偏高。 酸液长期挥

严禁把玻璃 / 石英和 PFA、PTFE 氟塑料器皿混在同一个酸缸浸泡；PTFE 与 PFA 可以同缸清洗。 1.玻璃、石英不能混入氟塑料酸缸 玻璃主要成分为二氧化硅，遇氢氟酸会被腐蚀溶出硅、铝、钠等杂质。即便只用硝酸，玻璃表面也会缓慢析出金属离子，污染酸液。后续 PFA 器皿浸泡后，会把这些杂质带入痕量实验，造成空白偏高，直接破坏 ppb‑ppt 级检测。 2.PFA 与 PTFE 可以同缸清洗 二者同为全氟材质，化学相容性一致，不会互相释放杂质，可共同浸泡；注意

PFA 材质耐王水腐蚀，材质本身不会被破坏，但不建议直接在 PFA 酸缸内现场混配王水，存在安全风险。 1. 王水配制是强放热反应，浓硝酸与浓盐酸混合瞬间释放大量热量，酸缸体积大、散热慢，缸内温度急剧升高，会加速王水分解，释放大量氯气、二氧化氮有毒红烟；缸内压力上升，容易出现酸雾喷溅，有腐蚀伤人隐患。 2. 高温下大量酸雾挥发，还会加速 PFA 酸缸的老化，缩短槽体使用寿命。 3. 若酸缸内部还残留旧的浸泡器皿，器皿缝隙裹挟的残留

在 ICP‑MS、ICP‑OES 等痕量金属检测工作里，很多实验人员会把关注点放在样品消解、仪器参数调试上，却容易忽视 PFA 器皿的清洗质量。PFA 虽然化学惰性优异，但如果清洗不到位，残留的微量污染物，足以让 ppb、ppt 级别的检测结果失真，直接造成实验失败。 首先会带来空白值异常偏高。上一批样品吸附在器皿内壁、螺纹缝隙中的铅、镉、铜、铁等金属残留，会溶进空白酸液中。做试剂空白测试时空白直接超标，无法判断是试剂本身污染还是器皿带

痕量实验 PFA 酸缸没有固定更换周期，主要看使用频次与酸液状态。 常规参考周期： 高频使用（每天浸泡器皿）：2‑4 周更换； 低频使用（每周 1‑2 次）：1‑2 个月更换。 核心判断依据（满足其一就要换酸） 酸液肉眼观察发黄、变浑浊、出现悬浮物； 做器皿空白试验，空白金属本底值明显升高； 大量处理高盐、高重金属样品后，酸液负载已经饱和； 酸液挥发损耗严重，液位过低。

全新 PFA 器皿出厂时，表面会带有生产过程引入的微量杂质，直接做痕量分析会拉高空白值，必须先经过酸缸浸泡预处理。 1.去除生产带来的表面金属杂质 注塑、车削加工过程中，模具、刀具会带来 Fe、Cu、Zn、Na、Al 等微量金属，吸附在器皿内外表面。超纯水简单冲洗无法去除，酸缸浸泡可以把这些吸附态金属解析溶出，降低器皿本底，满足 ppb‑ppt 级检测。 2.清除表面微小碎屑与加工残留 车削修边会残留极细微 PFA 粉尘、脱模助剂，肉眼难以察觉，

石英酸缸适合高温不含氢氟酸的药液体系，但面对含 HF 刻蚀液、BOE、DHF 这类半导体主流清洗药液，存在天然短板，PFA 酸缸拥有几项不可替代的优势： 1.耐受氢氟酸，不会被腐蚀溶出硅杂质 石英主要成分为 SiO₂，遇到氢氟酸会发生化学反应，槽体被缓慢侵蚀，向药液释放硅，同时石英晶格内部包裹的 Al、Fe、Na 等金属杂质被释放进入药液，造成晶圆污染；PFA 完全耐氢氟酸，不会被 HF 腐蚀，是氢氟酸体系清洗槽的必选材质。 2.整体金属本底极低，适配

SiC 功率器件大规模上量，CMP 抛光为何成为衬底制造的关键关卡 第三代半导体碳化硅（SiC），凭借耐高压、耐高温、低损耗优势，成为新能源车车载电源、光伏逆变器、储能变流器的核心材料。国内多条 SiC 衬底产线持续扩产，从实验室研发走向大规模量产阶段。 很多人把目光聚焦单晶长晶设备，却容易忽略：衬底最后的 CMP 抛光，是决定后续外延质量，乃至芯片器件可靠性的关键一步。 碳化硅材料硬度极高、化学惰性强。普通研磨只能做到表面肉眼

2026年，整个光通信行业的底层逻辑，正在被AI算力彻底改写。 过去我们看光通信，拼的是模块速率、出货体量。但随着万卡超算集群、AI超级节点持续落地，光互联已经不再是简单的网络配套，而是支撑算力释放的核心底座。今年最大的产业特征，就是CPO、NPO双线并行，光通信正式进入架构级升级周期。 01海外CPO：高端算力进入“毫米级电链路”时代 从全球龙头动态来看，英伟达在GTC 2026发布的Quantum 3400 CPO交换机，直接拉高了高端算力互联的技术天

绝对式编码器是一种能够在断电后仍保持位置信息的位置检测装置，与步进电机配合可实现闭环控制，有效解决开环系统下的失步问题。在自动化工业领域，步进电机应用广泛，但当所需扭矩超出电机输出能力时，容易出现失步停转。由于步进电机通常采用开环控制，没有传感器将实际运行状态反馈给控制器，驱动器和控制器无法感知电机已停转，系统仍按指令继续运行，如同电机已完成移动，进而导致定位偏差、产品报废甚至设备碰撞。为系统配置

瑞斯特(RST) RST60P82AK是一款基于先进沟槽技术开发的P沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252-2L贴片封装。该器件漏源耐压-60V，连续漏极电流高达-82A（Tc=25°C），在VGS=-10V、ID=-20A条件下导通电阻典型值仅11mΩ，最大不超过13mΩ；在VGS=-4.5V、ID=-20A条件下导通电阻典型值13mΩ，最大不超过16mΩ，支持低压逻辑电平直接驱动。脉冲漏极电流达-328A，最大功耗150W，单脉冲雪崩能量722mJ，工作结温范围-55°C至175°C。产品经过100% UIS雪崩测试和100% ΔVDS筛选，电气特性涵盖关断

金航标kinghelm（www.kinghelm.net）和萨科微官网华强北小百科之为何说“先有华强后有路”？狭义和广义的华强北分别指什么？“先有华强后有路”，是深圳华强北非常有名的一句俗语，讲的是“先有华强这家工厂，才有以华强命名这条市政路”的历史渊源。最早是在粤北山区的华强电子厂，响应国家号召支援深圳建设搬迁到深圳市上步工业区，后来与日本三洋电子成立合资公司生产“华强三洋”牌的电视机。由于华强工业公司是最早落户的单位，所以市