DAG810 是 DISCO单轴单工作台紧凑型自动研削机，主打 8 英寸（200mm）晶圆减薄，支持 TAIKO 留边研磨工艺，实验室、小批量产线使用非常广泛，市面流通二手机存量大。 核心规格 加工尺寸：最大 Φ200mm（8 英寸），通用吸盘兼容 4/5/6/8 英寸晶圆 研磨主轴：空气轴承，4.2kW，转速 1000‑7000rpm，金刚石砂轮 Φ200mm 研磨方式：标准 In‑Feed 进给研磨；可选 Creep‑Feed 缓进给研磨 Z 轴分辨率：0.1μm；8 寸晶圆 TTV 可做到≤1.5μm 整机尺寸：600×1700×1780mm，占地约 1.02㎡

核心参数 适配晶圆：最大 8 英寸（4‑8 英寸可配通用卡盘） 研磨方式：旋转式切入研磨，双空气轴承主轴，3 个陶瓷真空卡盘台 主轴参数：4.2kW，转速 1000‑7000rpm；Z 轴解析度 0.1μm，重复精度 ±0.5μm 研磨精度：单片晶圆 TTV≤3μm；可研磨超薄晶圆至 100μm 以内；精磨表面粗糙度优异 磨轮：Φ200mm 金刚石砂轮，支持粗磨 + 精磨工艺 整机尺寸：1200×2670×1800mm，重量约 3100kg 通讯：支持 SECS‑II，可接入工厂 FA 自动化；可选 DBG、等离子预处理选配模块 机型

半导体封测常用机型，用于晶圆保护膜贴附工艺。 整机可完成晶圆取放、定位、贴膜整套工序，内部伺服驱动、气动组件、机械搬运机构完整，适合芯片研发、小批量封测产线使用，有需要的朋友可以站内信沟通，可提供更多实拍图片。

#研磨机##半导体# 保留晶圆外围约3mm边缘，只研磨中间区域，大幅改善超薄晶圆翘曲、崩边碎裂问题，不用载板支撑，避免高温工序脱气污染，对功率器件、MEMS、存储芯片薄化非常友好

#二手半导体##研磨机#

基础定位 DFG850 是 DISCO 经典 DFG800 系列初代量产机型，双主轴、三真空吸盘工作台全自动切入式研磨机，适配 4/5/6/8 英寸晶圆，主要用于 IC 封装晶圆背面减薄、粗磨 + 精磨一体化加工，为 DFG8540 前代机型。 核心规格 适用晶圆：最大 8 英寸（200mm），兼容 4、5、6 英寸硅片、化合物晶圆 结构：双气浮主轴，3 工位旋转工作台；机械手自动上下料 主轴功率 4.2kW，转速区间 3000–10000rpm 可调 制程能力：可稳定减薄至 30μm 超薄晶圆，厚度控制精度 ±1μm 集成

二手半导体设备ACCRETECH TSK PG300RM研磨抛光机出售，有需要的老板私聊

基础定位 DFG8540 是 DISCO DFG‑800 系列升级机型，8 英寸 (200mm) 全自动背面减薄研磨机，双主轴、三吸盘工作台，主打超薄晶圆研削，可做到 100μm 以下厚度；可对接 DBG 先割后磨工艺、DFP 干式抛光机联机。砂轮、吸盘工作台与老 800 系列通用互换。 关键特点 双主轴三工位：Z1 粗磨、Z2 精磨，3 个 chuck table 实现上料‑粗磨‑精磨并行，量产效率高。 超薄处理能力：优化真空吸附与搬运，稳定加工 100μm 以下超薄硅片，降低碎片风险。 触控 GUI 操作，厚度

日系经典背面减薄设备，适配 8 英寸晶圆。更多二手设备现货，欢迎详询~~~

定位：8 英寸 (200mm) 紧凑型半自动背磨机，单主轴单工作台，无 FOUP，人工上下片；多用于研发小批量、样品实验、化合物半导体、封装树脂研磨；不支持 12 寸，无 DP 干式抛光，不能联机 DFM 贴膜机。 核心规格 加工晶圆：标准Φ200mm (8 寸)；配通用卡盘可兼容 4‑6 英寸；选配可加工带钢框晶圆 主轴：单 Z 研磨主轴，4.2kW；转速 1000‑7000rpm；金刚石砂轮 Φ200mm 工作台：1 个 Chuck 旋转工作台，转速 1‑300rpm Z 轴最小进给：0.1μm；8 寸片内厚度不均匀度≤1.5μm

分享一款 8 寸晶圆背磨主流设备，DISCO DFG8540 全自动研削机。 适配 4/6/8 英寸晶圆，双主轴三工位设计，粗精磨一体，原生支持 DBG 工艺。 多用于功率半导体、传感器、MEMS 晶圆超薄减薄，DFG800 系列成熟机型，配件互通，量产稳定性经过市场长期验证。 现在很多产线扩建、新工艺试产，都会考虑二手 DFG8540。 圈内同行欢迎交流选型经验，有相关问题可以留言探讨。

国内现货，全自动晶圆背面研削机型，工艺成熟，厚度均匀性佳，适配常规尺寸晶圆，适配硅片、化合物衬底减薄需求。更多二手设备现货，欢迎详询~~~

二手半导体设备EBARA F-REX300 CMP化学机械研磨出售，有需要的老板私聊

国内现货，支持 6 英寸、8 英寸晶圆薄化加工，适配各类分立与功率器件产线，更多二手设备现货，欢迎留言咨询~~~

现货二手DISCO DFG840 晶圆减薄机，支持 6 英寸、8 英寸晶圆薄化加工，适配各类分立与功率器件产线。 更多二手设备现货，欢迎留言咨询~~~ #二手半导体设备# #晶圆减薄机# #二手研磨机# #二手设备#

二手半导体设备DISCO DGP8761研磨机+DFM2800贴膜机出售，有需要的老板私聊

一、设备定位 DISCO DGP8761 是 DGP8760 升级款200/300mm 兼容全自动背面研磨 + 干式抛光一体机，专为超薄晶圆减薄、应力释放设计，覆盖粗磨→精磨→干式抛光全流程，适配逻辑、存储、功率半导体、堆叠封装超薄晶圆量产。 二、核心硬件规格 1. 加工尺寸 兼容晶圆：Φ200mm（8 寸）、Φ300mm（12 寸） 可加工超薄晶圆：最低稳定减薄至25μm 以下，极限可做到 5μm 硅片 2. 三轴四工位架构（核心亮点） Z1 主轴（粗磨）：6.3kW 气浮主轴，转速 1000–4000rpm，300mm 金刚

我司最新研发的新技术，是一款集清洗、研磨、光亮一体的多功能研磨光亮剂，产品在传统研磨抛光用料的基础上辅以高分子纳米材料修饰作用，抛光后的工件亮度更高（白亮），适合高要求、高附加值产品研磨抛光处理。

一、机型定位 日本 DISCO 经典双主轴全自动晶圆减薄机，90 年代量产（1997–1998 年出厂为主），适配 4/5/6/8 英寸硅片，主流用于芯片背面粗磨 + 精磨一体化减薄，半导体封装、MEMS、化合物半导体、光伏衬底减薄通用机型，市面流通以二手机为主。 二、核心硬件配置 1. 加工架构 2 主轴 + 2 真空吸附工作台：主轴 1 粗磨、主轴 2 精磨，两道工序自动流转，一次完成减薄；双主轴独立调速、独立 Z 轴进给 研磨方式：工件旋转式轴向进给研磨（In-feed Grinding）

一、机型定位与迭代谱系 EBARA（荏原）F-REX300 是12 英寸 300mm 量产型 CMP 平台，对标应用材料 Mirra 300mm，是成熟逻辑、存储、功率产线主流平坦化设备，全系统一「一研磨台配独立研磨头」核心架构，分三代主力型号： 初代 F-REX300 S/SⅡ：早期双台 2 头，适配 45nm 及以上成熟制程，二手市场存量最大 F-REX300 X：4 研磨台 4 独立 Top Ring，并行 / 串行双工艺模式，主打 28–14nm 铜互连、STI、钨 CMP F-REX300 XA：X 型升级款，能耗降低 10%、传输效率提升、污染控制强

一、DGP8761 主机核心参数（8/12 寸通用，SiC 适配主力机型） 基础规格 适配晶圆：200mm (8 寸) / 300mm (12 寸)，FOUP 标准装载 三轴四工作台：Z1 粗磨、Z2 精磨、Z3 应力释放 / 干式抛光，三轴主轴均 6.3kW，转速 1000–4000rpmDISCO HI-TEC CHINA 加工能力：稳定减薄至25μm 以下超薄晶圆；整片 TTV≤±2.5μm；干式抛光去除研磨损伤层，无化学药液、低 SiC 裂片风险DISCO 耗材：φ300 金刚石砂轮，兼容 DISCO GFSC 碳化硅专用砂轮；Z3 可换装干式抛光垫 / 可选 CMP 盘 尺寸重量：1690

定位：DISCO DGP8760 的升级款，3 轴 4 工作台，用于200/300mm（8/12 寸）硅晶圆背面减薄 + 应力释放 + 干式抛光一体化，主打25μm 以下超薄晶圆稳定加工。 一、核心参数 加工尺寸：最大Φ300mm（兼容 200mm） 主轴配置：3 轴（Z1 粗磨 / Z2 精磨 / Z3 抛光 / 应力释放），每轴6.3kW，转速1000–4000rpm 工作台：4 个真空吸盘，同步作业提效 研磨方式：Z1/Z2 为晶圆旋转进给研磨；Z3 为异形进给干式抛光 加工能力：最薄 **≤25μm**；典型300mm 晶圆约 8 分钟 / 片 尺寸（W×D×H）

一、设备定位 DISCO DFG8560 是日本迪斯科（DISCO）公司生产的全自动晶圆背面研磨 / 减薄机，属于 DFG800 系列升级款，主打 300mm（12 英寸） 大尺寸晶圆超薄精密减薄，广泛用于逻辑、存储、功率器件（IGBT、MOSFET）、先进封装（TSV、DBG）等制程。 二、核心参数（精简版） 加工尺寸：最大 φ300mm；兼容 φ200mm（配通用卡盘） 研磨方式：晶圆旋转式 In‑Feed 进给磨削 主轴配置：双主轴（Z1 粗磨 + Z2 精磨） 额定功率：4.8kW 转速：1,000–4,000 rpm 研磨轮：标准 φ300m

定位：日本东京精密（TSK/ACCRETECH）全自动高刚性双轴晶圆研磨机，用于半导体硬脆材料（SiC、LT、LN、蓝宝石等）背面减薄 / 镜面研磨，适配 200mm（8 英寸）晶圆。 一、核心参数（精简版） 加工尺寸：φ3–8 英寸（最大 200mm） 磨轮 / 主轴：φ250mm，Max 3,600rpm，6.3kW 工作台转速：Max 800rpm 精度：TTV ≤1μm，WTW ±1μm，镜面级表面 外形尺寸：1540×2050×2010mm，约 4500kg 结构：高刚性床身 +双轴独立控制+ 集成清洗（防硅粉残留） 二、关键特点 双轴技术：粗磨 + 精

一、机型定位 DFG8560 是DFG860/800 系列换代机型，DISCO 量产主力300mm (12 英寸) 全自动晶圆减薄研削机，兼容 8 寸 (200mm) 通用卡盘，主攻硅片、功率器件超薄背面研磨，可对接 DBG 先划片后研磨 + DFP 干式抛光连线产线；整机自重约 4t，相较老款 DFG860 减重 1t（减重 20%），占地更小、安装灵活。 二、核心硬件参数 加工规格 适配晶圆：Φ200/300mm（8/12 寸），兼容 4~6 寸小晶圆换吸盘加工 研磨方式：旋转式切入式研磨（粗磨 Z1 + 精磨 Z2 双工序） 砂轮：标配 Φ300m

DAG810是 DISCO 推出的8 英寸（200mm）单轴单工作台自动研磨机，主打小体积、高精度、多功能，广泛用于半导体晶圆 / 硬脆材料的减薄与背面研磨，是 200mm 产线及研发 / 小批量生产的主流机型。 一、设备定位与核心用途 全称：Automatic Surface Grinder（Backgrinder） 形态：单主轴、单真空吸盘工作台，手动上下料 适用尺寸：标准4/5/6/8 英寸（100–200mm）；选配可支持300mmDISCO 核心用途： 硅晶圆背面减薄（如从 750μm 磨至 50–100μm） 化合物半导体（GaAs、InP、GaN）

DFG8540是 DISCO 经典8 英寸（200mm）全自动背面研磨机，属于 DFG800 系列升级款，主打超薄晶圆（≥50μm）高精度减薄、TTV 极低、表面粗糙度 Ra 极低，广泛用于功率器件、先进封装、超薄晶圆制程，二手市场主流机型，DFG=Disco Fine Grinder。 一、定位与核心用途 设备类型：全自动双主轴三卡盘晶圆背面研磨机（In-feed Grinder） 适用晶圆：4/5/6/8 英寸（100–200mm），兼容硅、锗、SiGe、玻璃、陶瓷 制程能力：粗磨→精磨→超细精磨，一次完成；支持 **DBG（Dicing Befo

定位：DISCO 经典200mm（8 寸）全自动双轴背面研磨机，主打Si/SiC/ 化合物半导体晶圆减薄，二手市场主力机型，用于封装前超薄化（最薄≈5μm）。 一、核心参数（标准 8 寸配置） 适用晶圆：4/5/6/8 英寸（100–200mm） 研磨厚度：5–300μm；超薄稳定至30μm 以下 厚度精度：TTV≤1.5μm（全片均匀性）；厚度控制 ±1μm 主轴配置：双主轴（2 轴），3 工位吸盘（3-chuck），并行提效 主轴转速：1,000–7,000rpm无级可调；功率4.2kW（可选 6.3kW） 研磨方式：工件旋转式进

一、行业背景：水洗高岭土正向微纳米级精细加工升级 水洗高岭土广泛应用于造纸填料、涂料、功能性填料、陶瓷、橡胶、塑料及高端复合材料等领域。随着下游行业对产品白度、遮盖力、分散性、细度稳定性和粒度分布集中度的要求持续提升，高岭土加工正从传统微米级研磨，向微纳米级超细加工方向快速升级。 在高端应用场景中，单纯追求平均粒径已无法满足市场需求，真正决定产品等级的核心指标，是尾部大颗粒控制能力 —— 尤其是 D97 粒径

NAKANISHI超声波切割刀US-40C 是一款高性能的工业工具，广泛应用于精密加工领域。这款切割刀结合了先进的超声波技术，使其能够在高频振动下轻松切割各种硬度材料，如金属、塑料、玻璃和陶瓷。通过超声波技术，US-40C 提供了极高的切割速度和精确度，同时减少了切割过程中的摩擦和热量生成，避免了材料的变形和损伤，下面由百舜精密为您介绍。 US-40C 具有多种优异的特性。首先，它拥有高达 40,000 次/秒的振动频率，使其能够迅速切割，不仅节省

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