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0主营SJ igbt单管 寻求代理合作
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0有没有铁子做过IGBT前段SMT技术的,做过石墨治具一体化产品吗?求解下技术
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2知道下桥电流峰值,由上桥二极管反向恢复导致。那。那上桥的电流峰值呢?在上桥IGBT关断时电流会换流到哪里?
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0IGBT功率模块,英飞凌,富士,西门康,三菱等,量大价优,成色漂亮,功能完好即可
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23300V的IGBT做逆变器的话,直流母线电压不超过多少合适?
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0请教各位大神,我原来的CM300DU的IGBT用万用表测量CE间阻抗为200K,红表笔接E,黑表笔接C。 我另外买的同型号IGBT,用万用表测量CE间阻抗为10K。 请问是原来的坏了,还是我新买的有问题?
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0PPS、PBT
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2SPEA DOT800操作手册谁有
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3需要一起IGBT
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1二极管用万用表量正反都不通,焊再板子上正向通,板子不通电情况下
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0绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)是一种半导体器件,它的发展历史可以追溯到20世纪80年代。以下是IGBT发展历史的主要里程碑: 1. 1979年:IGBT概念的提出 - IGBT的概念首次由美国电气工程师Brian J. Baliga提出。他是IGBT技术的奠基人之一,并在1982年获得了与IGBT相关的专利。 2. 1982年:首个IGBT器件的制造 - 美国电子制造商General Electric公司(通用电气)成功制造了第一个可工作的IGBT器件。这标志着IGBT技术的初步成功。 3. 1980年代中
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1适用开关频率 16~32kHz 光伏/储能/UPS
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0Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极晶体管,简称IGBT)是一种常用于功率电子应用的半导体器件。IGBT通常分为三个主要类型: 1. 标准型IGBT(Conventional IGBT):这是最常见的IGBT类型,通常用于通用功率应用,如电动汽车、电机驱动器和电源逆变器等。标准型IGBT具有良好的开关速度和导通能力,适用于中低频的应用。 2. 快速IGBT(Fast IGBT):快速IGBT具有更快的开关速度,适用于需要高频率操作的应用,如电源逆变器、变频器和电感加热器等。它们能
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0#IGBT# #MOSFET# IGBT - TRinno Technology 提供基于先进 FS IGBT 技术的高性能 IGBT 产品。 这些产品使我们能够为各种功率转换应用提供经济高效、可靠且高效的解决方案。 RC-IGBT 技术已通过自己的后端设施得到验证。 - 感应加热、焊机、UPS、逆变器等。 IGBT晶圆 结型 MOSFET 为 AC/DC 转换提供高效、可靠的电源解决方案。 40V 至 100V 的中压沟槽 MOSFET 符合汽车标准。 - 适配器、LED 照明、SMPS、PFC 等。 二极管 - TRinno Technology 使用寿命控制工艺以及薄晶圆加工技术提供快
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1ROHM(罗姆)是一家知名的半导体元器件制造商,其生产的IGBT管在市场上备受欢迎。本文将介绍ROHM(罗姆)IGBT管前8热门型号。 1. RGS80TSX2DHRC11:该型号IGBT管采用沟槽场截止类型,功率为555W,集射极击穿电压为1.2kV,集电极电流为80A,封装为TO-247-3。 2. RGS80TSX2HRC11:该型号IGBT管采用沟槽场截止类型,功率为555W,集射极击穿电压为1.2kV,集电极电流为80A,封装为TO-247N。 3. RGT40NL65DGTL:该型号IGBT管采用沟槽场截止类型,功率为161W,集射极击穿电压为650V,集电极
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3多年驱动设计经验,需要做驱动的朋友可以找我
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0IGBT是绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)的缩写。它是一种功率半导体器件,结合了双极晶体管(BJT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的特点。 IGBT广泛应用于需要高电压和高电流开关的功率电子和电气系统中。它们以处理大量功率和高开关频率而闻名。 IGBT的基本结构由一个P-N-P-N夹层结构组成,其中栅极绝缘于主要的电流载体端子。这种绝缘可以更好地控制器件,并减少功率损耗。来源:https://www.icanic.cn/glqj-IGBT/ IGBT在许多应
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0有懂IGBT 且现在做工业级板卡研发的大佬吗 请教一下#板卡研发#