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0型号:IPD26N06S2L-35-VB 品牌:VBsemi **参数说明:** - 极性:N沟道 - 额定电压(Vds):60V - 额定电流(Id):45A - 静态导通电阻(RDS(ON)):24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V - 门源极电压(Vgs):-20V 至 20V - 阈值电压(Vth):1.8V - 封装类型:TO252 **应用简介:** IPD26N06S2L-35-VB是一款N沟道MOSFET,适用于多种应用领域。以下是该产品可能应用于的一些领域模块: 1. **电源开关模块:** 由于其N沟道MOSFET特性,IPD26N06S2L-35-VB可用于电源开关模块,如DC-DC变换器、开关稳压器和电源
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0型号: SI2300BDS-T1-GE3-VB 品牌: VBsemi 详细参数说明: - 沟道类型: N沟道 - 额定电压: 20V - 最大电流: 6A - 静态导通电阻 (RDS(ON)): 24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V - 门源电压 (Vgs): ±8V - 阈值电压 (Vth): 0.45~1V - 封装类型: SOT23 应用简介: SI2300BDS-T1-GE3-VB是一款高性能N沟道场效应晶体管,适用于多种电子领域的模块和电路。以下是该产品的一些主要应用领域: 1. **电源开关**: 这款晶体管可用于电源开关电路,帮助实现高效的电源控制和管理,特别适用于电源管理单元、稳压器和
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0铨力 APG055N12T N-通道增强型 MOSFET 特征:120V,200ARDS(ON)<5.5mΩ@VGS=10V TYP:5.0mΩRDS(ON)<7.5mΩ@VGS=6V TYP:6.5mΩ先进的沟槽电池设计低热阻 应用:电机驱动器直流-直流转换器
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0描述: AP180N03P/T采用先进的沟槽技术提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作该器件适用于电池保护或其他开关应用 特征:VDS=30V ID =180ARDS(ON) < 3.2mΩ @ VGS=10V (Type:2.1mΩ) 应用: 电池保护 负载开关 不间断电源
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0AP7N65K N-通道增强型 MOSFET特征:650V,7ARDS(ON)<1.35Ω@VGS=10V TYP:1.1Ω快速切换100%雪崩测试改进的dv/dt能力应用:开关模式电源(SMPS)不间断电源(UPS)功率因数校正(PFC)PWM应用
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0型号:BSP250-VB 丝印:VBJ2456 品牌:VBsemi **参数说明:** - 极性:P沟道 - 额定电压(Vds):-40V - 额定电流(Id):-6A - 静态导通电阻(RDS(ON)):42mΩ @ 10V, 49mΩ @ 4.5V - 门源极电压(Vgs):-20V 至 20V - 阈值电压(Vth):-0.83V - 封装类型:SOT223 **应用简介:** BSP250-VB是一款P沟道MOSFET,适用于多种应用领域。以下是该产品可能应用于的一些领域模块: 1. **电源开关模块:** 由于其P沟道MOSFET特性,BSP250-VB可用于电源开关模块,如DC-DC变换器和开关稳压器。这些模
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0APA65R640FM 超结功率场效应晶体管特征:650V,7ARDS(ON)<640mΩ@VGS=10V TYP:523mΩ先进的超结技术极低导通电阻应用:功率因子校正(PFC)开关模式电源(SMPS)不间断电源(UPS)LED照明电源
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0AP100N03P/T 30V N-通道增强模式 MOSFET描述:AP100N03P/T是采用先进的沟槽技术提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作该器件适用于电池保护或其他开关应用特征:VDS = 30V ID =100 ARDS(ON) < 5.5mΩ @ VGS=10V (Type:4.5mΩ)应用:电池保护负载开关不间断电源
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0华羿微 HYG160N06LS1D/U/V N- 通道增强型 MOSFET特征:60V,38ARDS(ON)<14mΩ@VGS=10V100% 雪崩测试100% DVDS可靠且坚固提供无卤素和绿色设备(符合 RoHS 标准)应用:开关应用DC-DC 转换器
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0型号:NIF5002NT3G-VB 丝印:VBJ1695 品牌:VBsemi 参数: - 类型:N沟道 - 最大耐压:60V - 最大电流:4A - 静态开启电阻 (RDS(ON)):76mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V - 门源极电压 (Vgs):20V (±V) - 阈值电压 (Vth):1.53V - 封装类型:SOT223 应用简介: NIF5002NT3G-VB是一种N沟道MOSFET,具有适中的电压和电流承受能力。它适用于多种电子应用,以下是一些可能的应用领域: 1. 电源模块:这款MOSFET可用于小型电源模块中的功率开关,帮助提高电源管理的效率,适用于便携式设备、嵌入式
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0型号:IRF7425TRPBF-VB 丝印:VBA2309 品牌:VBsemi **参数说明:** - 极性:P沟道 - 额定电压(Vds):-30V - 额定电流(Id):-11A - 静态导通电阻(RDS(ON)):11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V - 门源极电压(Vgs):-20V 至 20V - 阈值电压(Vth):-1.5V - 封装类型:SOP8 **应用简介:** IRF7425TRPBF-VB是一款P沟道功率MOSFET,适用于多种应用领域。以下是该产品可能应用于的一些领域模块: 1. **电源供应模块:** 由于IRF7425TRPBF-VB具有低导通电阻和高电流承载能力,它可以用于设计高效率
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0型号: NTMD4840NR2G-VB 丝印: VBA3316 品牌: VBsemi 参数: - 类型: N沟道场效应管 (N-channel MOSFET) - 额定电压: 30V - 额定电流: 8.5A - 漏极电阻: RDS(ON) = 20mΩ @ 10V, 12mΩ @ 4.5V - 门源电压范围: ±20V - 阈值电压: 1.5V - 封装: SOP8 应用简介: NTMD4840NR2G-VB是一款高性能N沟道场效应管,常用于各种电子设备中。其低漏极电阻和高电流能力使其适用于高速开关电路和功率放大器等场景。该器件可在20V的门源电压范围内正常工作,且具有较低的阈值电压。此外,它还
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4MOS管在电路设计的选择应用一直都在国产化,而对于TOLL封装不仅有IPT015N10N5,更有国产FHL385N1F1A型号MOS管!
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0型号:IRF7303TRPBF-VB 丝印:VBA3328 品牌:VBsemi 详细参数说明: - 类型:双N沟道MOSFET - 额定工作电压:30V - 额定漏极电流:6.8A(2个N沟道并联) - 开启电阻RDS(ON):22mΩ @ 10V, 26mΩ @ 4.5V - 阈值电压Vth:1.73V - 封装:SOP8 应用简介: IRF7303TRPBF-VB是一款具有高性能的双N沟道场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电子设备和模块中。 这款MOSFET适用于以下领域模块的应用: 1. 电源模块:IRF7303TRPBF-VB可以用于电源开关,稳压及稳流模块的设计中。其低开启电阻和高
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0000000该型号 FDS8949-NL-VB,丝印为 VBA3638,是VBsemi品牌生产的一款电子元器件。其参数为2个N沟道、60V、6A,RDS(ON)为27mΩ@10V、32mΩ@4.5V,20Vgs(±V),1.5Vth(V),封装为SOP8。 详细参数说明: - 2个N沟道表示该元器件内部有两个N沟道MOS管。 - 60V代表该元器件的最大工作电压为60V。 - 6A表示该元器件的最大工作电流为6A。 - RDS(ON)表示开通状态下的导通电阻,分别为27mΩ@10V和32mΩ@4.5V。这意味着在10V和4.5V两种电压下,元器件的导通电阻分别为27mΩ和32mΩ。 - 20Vgs(±V)表示元器00详细参数说明: - 型号: AO4419-VB - 丝印: VBA2317 - 品牌: VBsemi - 参数: - 沟道类型: P沟道 - 额定电压: -30V - 额定电流: -7A - 开启电阻: 23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V - 门源极电压范围: ±20V - 门阈电压: -1.37V - 封装类型: SOP8 应用简介:AO4419-VB是一款P沟道功率MOSFET器件,适用于各种需要P沟道器件的电路设计。它可在-30V的额定电压下提供最大-7A的电流,具有低开启电阻,可在不同电压下提供较低的电阻值,以提高功率传输效率。该器件采用SOP8封装,适合于表面00000000